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2 特定日期是1 9 4 7 年1 2 月1 6 日。
这项发明是吟游诗人和沃尔特·布拉顿的结合。
3 然后，威廉·肖克利（William Shockley）比晶体管更好，并被晶体管的交界处发现。
4 Bell Laboratoria成立于1 9 2 5 年，位于新泽西州的默里山。
它最有可能开始改善电信设备和与军事相关的研究。
1 9 4 7 年1 2 月2 3 日，在美利坚合众国新泽西州默里山的贝尔实验室，共有三个学者-Bardenj博士，Bokardone博士和巧克力博士，拖延了紧张和有组织的经验。
它们是在摩苏尔圆圈中使用半导体晶体扩增声音信号的实验。
三名学者惊讶地发现，在设备中传递的痕量电流的这一部分已经可以控制通过另一部分的最大流动，从而产生了扩增效果。
该设备是使科学技术史 - 晶体管历史上的时代的一项成就。
这正是因为他是在圣诞节前夕发明的，并对人们的生活产生了重大影响，称为“圣诞节礼物给世界”。
发明家是美国贝尔实验室的研究人员William Shockle。
晶体管是一种非常简单的半导体装置，由小型固体材料和三个薄电极线制成。
体积比电子管小得多。
该发明可降低计算机数千次的大小和成本，用神秘，昂贵，容易出错的机器代替计算机，该机器已在配备空调的空调中以便宜，更可靠的性能锁定使用成长。
设备极限。
威廉·休克（William Shockle）的这一发明通常被认为是推进固态电子时代的重要工具。
为此，他和他的研究伙伴Bardin和Braton获得了1 9 5 6 年诺贝尔物理学奖。
这项发明标志着微电子革命的开始，使人们可以使用小和低电子设备代替大型和高管。
晶体管的出现为综合电路开发铺平了道路。
在2 0世纪的前十年中，通信系统开始使用半导体材料。
在2 0世纪上半叶，半导体材料（例如矿石无线电）中的探测器被广泛使用。
电话系统还利用了半导体电动功能。
晶体管主要分为双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET，也称为单极晶体管）。
双极晶体管由N型半导体和P型组成，包括发射器，地基和收集器； 使用晶体管的三种主要方法：土壤发射器（共割，CE配置），基本（共碱加强，CB配置），收集器土地（群集加强，CC配置，发射耦合）。
以上信息来自百度百科全书 - 转移。
下列不属于第一只晶体管的发明者是（ ）。
[答案]：D 1 9 4 7 年2 月2 3 日，巴丁，布拉顿和肖克利发明了世界上第一个晶体管。贝尔实验室在哪一年发明的晶体管
I. 1 9 4 7 年，贝尔实验室的晶体管。2 特定日期是1 9 4 7 年1 2 月1 6 日。
这项发明是吟游诗人和沃尔特·布拉顿的结合。
3 然后，威廉·肖克利（William Shockley）比晶体管更好，并被晶体管的交界处发现。
4 Bell Laboratoria成立于1 9 2 5 年，位于新泽西州的默里山。
它最有可能开始改善电信设备和与军事相关的研究。
1947谁发明了晶体管
1 9 4 7 年 - 晶体管和人口启动：Bardning博士，Bokardone博士和Shukly博士。1 9 4 7 年1 2 月2 3 日，在美利坚合众国新泽西州默里山的贝尔实验室，共有三个学者-Bardenj博士，Bokardone博士和巧克力博士，拖延了紧张和有组织的经验。
它们是在摩苏尔圆圈中使用半导体晶体扩增声音信号的实验。
三名学者惊讶地发现，在设备中传递的痕量电流的这一部分已经可以控制通过另一部分的最大流动，从而产生了扩增效果。
该设备是使科学技术史 - 晶体管历史上的时代的一项成就。
这正是因为他是在圣诞节前夕发明的，并对人们的生活产生了重大影响，称为“圣诞节礼物给世界”。
晶体管的发明人是谁？
1 9 4 7 年，这一梦想的组成部分是晶体管的。发明家是美国贝尔实验室的研究人员William Shockle。
晶体管是一种非常简单的半导体装置，由小型固体材料和三个薄电极线制成。
体积比电子管小得多。
该发明可降低计算机数千次的大小和成本，用神秘，昂贵，容易出错的机器代替计算机，该机器已在配备空调的空调中以便宜，更可靠的性能锁定使用成长。
设备极限。
威廉·休克（William Shockle）的这一发明通常被认为是推进固态电子时代的重要工具。
为此，他和他的研究伙伴Bardin和Braton获得了1 9 5 6 年诺贝尔物理学奖。
晶体管是谁发明的?
晶体管由1 9 4 7 年1 2 月由Shockley，Badin和Bratton组成的研究团队创建。这项发明标志着微电子革命的开始，使人们可以使用小和低电子设备代替大型和高管。
晶体管的出现为综合电路开发铺平了道路。
在2 0世纪的前十年中，通信系统开始使用半导体材料。
在2 0世纪上半叶，半导体材料（例如矿石无线电）中的探测器被广泛使用。
电话系统还利用了半导体电动功能。
晶体管主要分为双极晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET，也称为单极晶体管）。
双极晶体管由N型半导体和P型组成，包括发射器，地基和收集器； 使用晶体管的三种主要方法：土壤发射器（共割，CE配置），基本（共碱加强，CB配置），收集器土地（群集加强，CC配置，发射耦合）。
以上信息来自百度百科全书 - 转移。
