内存条时序是什么意思
记忆同步参数通常以2 /2 /2 /6 -1 1 /1 t的格式缩写。分别表示案例 / TRCD / TRP / TRAS / CMD的情况。
2 /2 /2 /6 -1 1 /1 T中的最后两个同步参数，即TRAS和CMD（缩写命令）是最复杂的同步参数。
了解这两个参数的市场存在错误，因为某些内存制造商直接使用它们来表示内存性能。
从更常见的意义上讲，Cmdrate是芯片组时期。
估计，高密度系统和大容量的物理地址的物理地址范围并不难，并且其CMD延迟肯定比具有单一独特内存的系统的延迟肯定要大，即使这是双边线。
谁解释一下内存时序是什么
内存的时间参数通常以2 /2 /2 /6 -1 1 /1 T的格式缩短。分别表示CAS/TRCD/TRP/TRAS/CMD的值。
2 /2 /2 /6 -1 1 /1 T中的两个最新时间参数，即TRAS和CMD（命令缩写），是更复杂的正时正式参数。
市场对这两个参数有一些错误的理解，因为某些内存生产者直接使用它们来表示内存性能。
从更常见的意义上讲，cmdate是芯片组延迟。
不难估计，高密度和高容量大容量的物理地址区域具有较大的物理地址区域，并且其CMD Latens绝对比单个内存的系统大，尽管它是双面单侧的单个单曲线。
内存时序是什么
记忆时间是描述内存性能的一些主要参数，主要包括以下几点：CL：这是记忆前的等待时间，例如当您与朋友等待与朋友共进晚餐时，与朋友一起吃饭时快点来，时间等待内存较小，Cl值越低，其执行越好。TRCD：此参数描述了从指定的行地址开始读取列地址的数据的时间。
想象一下您正在图书馆里寻找一本书。
TRP：当内存从一个行地址切换到另一行地址时，当前行首先需要首先为“ pre charge”，而TRP是此过程所需的时间。
与更改电视频道之前一样，您需要首先关闭当前频道。
TRA：此参数描述了从线路地址的激进主义到预付费开始的时间。
这就像一个时候，您需要在阅读本书之前要关闭书本并准备下来并做其他事情。
命令率：这是有时添加的第五个参数，它决定了内存响应命令的速度。
普通百姓是2 t和1 t。
这些参数是在时钟骑自行车的，少数数字通常会执行快速性能。
