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2 -2 -8 4 数字的含义：caslatement（短值）内存延迟时间是重要的内存参数之一。
Ras-to-Casdolay（TRCD），列在列的地址处的存储线地址的延迟时间。
Row-PrechargedElay（TRP），记忆线预脉冲地址的时间。
行 - ctiveylay（TRA），延迟内存行的地址。
这是最关注的四个时间调整。
相同的频率。
当在某些技术文章中引入内存时间参数时，数字“ A-B-C-D”的相应参数通常为“ Cl-Trcd-Trp-Tra”。
呢 下面的^_^是对这些参数和其他参数的简要介绍，这些参数会影响BIOS设置中内存的性能：1 设置BIOS内存延迟时间。
BIOS：BCL/ OFF或打开/禁用）。
自动，打开（1 T），关闭（2 T）。
mandperclock（CPC：指令系数也被翻译为：第一个命令的延迟）通常被描述为drammandrate，cmdrate等。
由于当前的DDR存储地址，您必须首先选择p-bank（通过CS芯片选择信号为DIMM），然后您需要激活L-Bank/Row并选择列地址。
该参数的值是指选择P特定地址激活团队L型/线路的特定地址激活团队的时间，并且设备是时钟周期。
显然，较短，越好。
但是，随着主板上的内存模块的增加，控制芯片组上的负载也会增加，并且命令间隔太短会影响稳定性。
因此，当您的内存大量插入并且有一段时间不稳定时，您需要调整此参数以使其更长。
当前，大多数主板都在自动安装此参数。
默认情况下，该参数的值被禁用（2 T），如果可以安装玩家的内存质量以打开（1 T）。
CaslatencyControl（TCL）其他设置：自动，1 、1 .5 、2 、2 .5 、3 、3 .5 、4 、4 .5 通常，当我们观察与上述数值序列参数相对应的内存参数时，例如“ 3 -4 -4 -8 ”是“ Cl-Trcd-Trp-Tra”。
这是3 -第一个参数，即参数Cl。
CaslatencyControl（也描述为TCL，CL，Caslatentime，CastimingDelay），Caslatency是“延迟阅读和记录记录的前线地址”。
CAS控制采用指令和指令实施之间的时间。
因为CAS主要控制十六进制的地址，所以 >>问题2 ：内存手表是什么意思？ 我的记忆怎么样？ 1 0分钟内的时钟是小时数。
因此，值越小，越好。
您有DDR3 3 2 GB1 8 6 6 MHz内存。
使用软件使用软件来衡量性能问题。
前4 个元素应为1 1 -1 1 -3 0，因为您现在使用的时间比默认时间更好。
您可以去BIOS进行调整。
如果死亡的蓝屏，请调整至马stable。
问题4 ：如何查看处理器内存时间？ 它们以相同的频率工作，他们的CAS和RA相同，您可以查看内存选项，即root内存，CAS，RAS等的双重性。
您上面描述的应该是一个问题。
两个内存棒的SPD：如何查看9 -9 -9 -2 4 的内存时间，频率越高，时间就越越越好。
但这不是绝对的。
SPD选项卡检查！ 问题6 ：如何在Internet上查看内存时间。
为此，您可以使用CPUZ或AIDA6 4 等工具来查看内存参数。
1 8 6 6 年的频率。
您以1 6 00的频率工作。
您可以输入BIOS以手动配置直到1 8 6 6 年。
频率，而后者只能在一个外部频率下。
在BIOS中，您还可以看到BYSPD或自动内存，即自动安装。
因此，只需简单地使用简单的逻辑操作，就不可能做到这一点。
所谓的“同时读取3 2 位”需要相同的时钟控件，读取相同的上升或向下的边缘，并且在下一个上升边缘之前什么都不做，但是您可以继续阅读。
添加时，将两个值放在逻辑电路之前。
在其他时候加载和维护值的上升边缘。
这是一个登记册。
因为它是寄存器，所以输入1 和0是稳定的，并且在逻辑操作期间不会更改。
这是手表的基本功能。
如果您没有时钟，那么3 2 位读取中可能会有时间序列差异。
甚至纳秒差异也使结果不稳定且不可预测。
如果您的计算复杂，则可能需要多次读取（例如，计算2 6 4 位整数的添加），一次读取指令，阅读一次，阅读B一次，然后再次输出您需要添加它。
每次时钟都上升或向下边缘。
内存时间是描述随机访问同步内存的性能的四个参数。
TRCD参数代表4 2 表示TRP参数，而1 09 表示TRA参数。
在发生争议的记忆期间，内存时间有两种类型。
并编写说明。
根据查询技术爱好者的信息，内存计时3 2 -4 2 -4 2 -1 09 是指caslatency的延迟时间（列地址strobe Pulse）。
内存定时是四个参数，描述了时钟周期中同步动态随机访问存储器（SDRAM）的性能：Cl，T，T，T和T。
怎么看内存时序？
问题1 ：如何在存储时间中查看参数，该参数通常存储在SPD存储模块中。2 -2 -8 4 数字的含义：caslatement（短值）内存延迟时间是重要的内存参数之一。
Ras-to-Casdolay（TRCD），列在列的地址处的存储线地址的延迟时间。
Row-PrechargedElay（TRP），记忆线预脉冲地址的时间。
行 - ctiveylay（TRA），延迟内存行的地址。
这是最关注的四个时间调整。
相同的频率。
当在某些技术文章中引入内存时间参数时，数字“ A-B-C-D”的相应参数通常为“ Cl-Trcd-Trp-Tra”。
呢 下面的^_^是对这些参数和其他参数的简要介绍，这些参数会影响BIOS设置中内存的性能：1 设置BIOS内存延迟时间。
BIOS：BCL/ OFF或打开/禁用）。
自动，打开（1 T），关闭（2 T）。
mandperclock（CPC：指令系数也被翻译为：第一个命令的延迟）通常被描述为drammandrate，cmdrate等。
由于当前的DDR存储地址，您必须首先选择p-bank（通过CS芯片选择信号为DIMM），然后您需要激活L-Bank/Row并选择列地址。
该参数的值是指选择P特定地址激活团队L型/线路的特定地址激活团队的时间，并且设备是时钟周期。
显然，较短，越好。
但是，随着主板上的内存模块的增加，控制芯片组上的负载也会增加，并且命令间隔太短会影响稳定性。
因此，当您的内存大量插入并且有一段时间不稳定时，您需要调整此参数以使其更长。
当前，大多数主板都在自动安装此参数。
默认情况下，该参数的值被禁用（2 T），如果可以安装玩家的内存质量以打开（1 T）。
CaslatencyControl（TCL）其他设置：自动，1 、1 .5 、2 、2 .5 、3 、3 .5 、4 、4 .5 通常，当我们观察与上述数值序列参数相对应的内存参数时，例如“ 3 -4 -4 -8 ”是“ Cl-Trcd-Trp-Tra”。
这是3 -第一个参数，即参数Cl。
CaslatencyControl（也描述为TCL，CL，Caslatentime，CastimingDelay），Caslatency是“延迟阅读和记录记录的前线地址”。
CAS控制采用指令和指令实施之间的时间。
因为CAS主要控制十六进制的地址，所以 >>问题2 ：内存手表是什么意思？ 我的记忆怎么样？ 1 0分钟内的时钟是小时数。
因此，值越小，越好。
您有DDR3 3 2 GB1 8 6 6 MHz内存。
使用软件使用软件来衡量性能问题。
前4 个元素应为1 1 -1 1 -3 0，因为您现在使用的时间比默认时间更好。
您可以去BIOS进行调整。
如果死亡的蓝屏，请调整至马stable。
问题4 ：如何查看处理器内存时间？ 它们以相同的频率工作，他们的CAS和RA相同，您可以查看内存选项，即root内存，CAS，RAS等的双重性。
您上面描述的应该是一个问题。
两个内存棒的SPD：如何查看9 -9 -9 -2 4 的内存时间，频率越高，时间就越越越好。
但这不是绝对的。
SPD选项卡检查！ 问题6 ：如何在Internet上查看内存时间。
为此，您可以使用CPUZ或AIDA6 4 等工具来查看内存参数。
1 8 6 6 年的频率。
您以1 6 00的频率工作。
您可以输入BIOS以手动配置直到1 8 6 6 年。
频率，而后者只能在一个外部频率下。
在BIOS中，您还可以看到BYSPD或自动内存，即自动安装。
内存读写时序控制原理图
原理：内存读取3 2 位或6 4 位数字（指令或数据），同时需要3 2 位测量值，没有序列。因此，只需简单地使用简单的逻辑操作，就不可能做到这一点。
所谓的“同时读取3 2 位”需要相同的时钟控件，读取相同的上升或向下的边缘，并且在下一个上升边缘之前什么都不做，但是您可以继续阅读。
添加时，将两个值放在逻辑电路之前。
在其他时候加载和维护值的上升边缘。
这是一个登记册。
因为它是寄存器，所以输入1 和0是稳定的，并且在逻辑操作期间不会更改。
这是手表的基本功能。
如果您没有时钟，那么3 2 位读取中可能会有时间序列差异。
甚至纳秒差异也使结果不稳定且不可预测。
如果您的计算复杂，则可能需要多次读取（例如，计算2 6 4 位整数的添加），一次读取指令，阅读一次，阅读B一次，然后再次输出您需要添加它。
每次时钟都上升或向下边缘。
内存时序32-42-42-109什么意思
延迟时间。内存时间是描述随机访问同步内存的性能的四个参数。
TRCD参数代表4 2 表示TRP参数，而1 09 表示TRA参数。
内存32时序开机了变成36
内存3 2 定时已打开并变为3 6 个内存正时。在发生争议的记忆期间，内存时间有两种类型。
并编写说明。
内存时序32-42-42-109什么意思
延迟时间。根据查询技术爱好者的信息，内存计时3 2 -4 2 -4 2 -1 09 是指caslatency的延迟时间（列地址strobe Pulse）。
内存定时是四个参数，描述了时钟周期中同步动态随机访问存储器（SDRAM）的性能：Cl，T，T，T和T。
