原来内存超频这么简单——intel平台DDR4内存超频教程
Intel平台DDR4 内存超频tutomial的关键点如下：硬件：CPU，主板兼容性和附加到超频限制的内存类别。Intelimc的身体也会影响主板设计和感冒的潜力。
软件：电压和时机调整的设置是确定超频稳定性的关键。
实用技能：清除目标。
搜索内存的名义频率并确定数字和数字。
锁定频率 - 使用Mothock特性简化超频步骤，以确保电压稳定性。
良好的调整 - 调整BIOS的频率和时间，同时着重于带宽有效性和内存的潜伏期。
内存超频练习的详细信息 - 频率设置 - 插槽类型和内存条，并逐渐挑战安装位置。
电压策略：设置合理的内存电压，以确保在安全距离处操作。
及时调整 - 从第一季开始，第二和第三次可以根据第二和第三次休息的经验进行调整。
稳定性测试 - 使用RunMemtestPro4 .0进行完整的测试以确保1 00％通过。
常见问题和解决方案 - 如果降低频率或未能降低频率或在硬件故障事件中，请尝试安装内存。
模拟错误需要在检查时间或适当的压力之前休息时间。
定时调整策略：第一次计时和稳定的测试稳定性。
第二次是第二次接近上限时第一次为5 0％。
如果没有消失，它将慢慢增长。
设置了第三个计时值的值。
进行了2 00％的稳定性检查。
工具和注释：使用Ryzendramplculculculator提高谈判的准确性。
注意准确的相关性。
避免RTL值高度差异。
调整电压时，调整0.01 V〜0.02 V。
为了利用这些最佳性能前景，您可以有效地下载DDR4 内存以遵守这些步骤和策略。
内存第四时序一般多少合适
第四个内存序列通常为3 2 00。DDR4 3 2 00（1 6 ）X 1 6 ，CL1 6 -1 6 -1 6 -1 6 1 .3 5 V最佳，DDR4 2 1 3 3 、1 .2 V，XMP下载可以直接增加到时间上，不会增加服务，不会从第一个服务中尝试。
首先，您应该开始第二次设置。
TRFC和TREF通常可以获得更高的频率； DDR4 内存与DDR4 和DDR4 2 内存不同，CR对内存频率及其性能没有重大影响。
DDR4内存有哪些常见的时钟频率和时序配置？
DDR4 内存中的常见时钟频率包括2 1 3 3 MHz，2 4 00MHz，2 6 6 6 MHz，2 8 00MHz等。这些频率决定了内存和CPU之间数据交换的速度。
定时配置是内存性能的关键因素之一，它涉及参数，例如延迟时间和数据传输时间。
由于不同制造商和型号的内存定时配置的差异，您需要注意购买内存时的时序规格，以确保其与主板兼容。
以2 1 3 3 MHz为例，以此频率下的DDR4 内存可以提供相对稳定的性能，适合日常办公室，轻型游戏和其他场景。
在诸如2 4 00MHz，2 6 6 6 MHz，2 8 00MHz之类的频率下，内存带宽会增加，这适用于需要更高性能的多任务，专业软件或游戏。
但是，时钟频率和计时配置的改善并不意味着性能中的绝对优势。
在实际应用中，还应考虑记忆电压，散热性能，内存模块质量和其他因素。
因此，在选择DDR4 内存时，需要全面考虑上述因素，以实现性能和稳定性的最佳平衡。
简而言之，在选择内存时，DDR4 内存的时钟频率和时序配置是要考虑的关键参数。
在满足基本性能需求的同时，您应该选择适当的内存配置，并结合个人使用方案，以确保最佳的用户体验。
ddr42400内存最佳时序
CL1 5 -1 7 普通GDR4 2 4 00存储的频率为2 4 00 MHz，时间为CL1 5 -1 7 GDR4 生成的几乎所有记忆的标准频率仅为2 1 3 3 MHz。即使您购买了高频存储棒，也必须在主板BIOS的设置中打开XMP（自动超频）或手动设置超频以实现经销商指定的频率。
此外，许多主板不支持超过2 6 6 6 MHz的频率。
即使您的内存是4 000 MHz的神奇棒，该频率也会自动降低至2 6 6 6 MHz。
这样，用户必须阅读主板上的说明。
DRAM - 时序介绍
选择内存棒时，容量和频率易于理解，但是如何解释那些复杂的XX-XX-XX-XX数字？ 以DDR4 存储棒为例。标记的时机为1 6 -1 8 -1 8 -3 8 ，每个数字代表不同的时序参数。
首先，1 6 代表Cl，即cl，列，列地址门延迟，此参数的重要性首先排名，直接反映了内存粒子的性能水平。
它反映了在将所有门信息发送到DRAM之后，内存需要多长时间响应和提供数据。
第二个数字是TRCD，即Rowaddresstocolumnaddressdressdelay，即Ras-to-Casdelay。
从门地址到门列地址的等待时间等于从行操作到列操作的切换时间。
第三个1 8 代表TRP，RowPrechargetime，这是预付时间。
由于需要在阅读前校准位线电压，因此在行操作之前和之后进行此时间，这与TRCD不同，但与频率有关。
时机中的最大值3 8 是TRA，ROWACTIVETIME，即，激活线向电动延迟延迟，包括行strobe，cl和关闭时间。
值得注意的是，小时值并不直接表示很小的内存延迟，因为正时值与频率密切相关。
例如，即使CL = 1 6 ，3 2 00MDDR存储器即使频率较高，延迟也可能保持不变。
总而言之，理解内存时间不仅取决于值，还取决于内存的实际工作频率。
尽管DDR5 的时序值可能很大，但频率的增加也可能会补偿延迟的这一部分。
因此，在评估内存性能时，有必要全面考虑时间和频率之间的关系。
