电脑内存条分几种？如何分辨？
根据存储单元工作原理的不同，计算机内存RAM分为静态RAM和动态RAM。
1.静态RAM（SRAM）
静态RAM由带有附加控制门的静态触发器组成。
因此，它依赖于运营商的自我保护功能来存储数据。
SRAM中存储的信息可以在断电情况下长期保留，状态稳定，不需要外部刷新电路，从而简化了外部电路的设计。
但由于SRAM底层存储电路包含较多晶体管，其集成度较低，功耗较大。
2.动态随机存储器（DRAM）
动态随机存储器采用密集电荷存储原理来存储信息，电路简单，集成度高。
由于任何电容器都存在漏电，当电容器存储充电时，一段时间后电容器会因放电而损失电荷，导致存储的信息丢失。
解决办法是每隔一定的时间间隔（2ms）对DRAM进行读写操作，这样原本处于逻辑电平“l”的电容上所放电的电荷就可以得到补充，也就是所需要的容量。
原来处于级别“0”的仍为“0”。
这个过程称为DRAM刷新。
区分方法：SRAM存储原理：通过触发器存储数据。
模块结构：由6个NMOS或OS管组成。
优点：速度快、使用方便、无需更新、静态功耗极低，常用作缓存。
缺点：元件数量多、集成度低、运行功耗高。
DRAM存储原理：利用MOS管栅电容存储电荷的原理需要更新（早期：三管核心单元；后期：单管核心单元）。
刷新（Renewal）：为了及时补充错过的电荷，避免丢失存储的信息，必须定期对栅极电容进行充电。
扩展信息
内存采用半导体存储单元，包括随机存取存储器(RAM)、读取-仅内存（ROM）和高速缓存（CACHE）。
很简单，因为RAM是其中最重要的内存。
（同步）SDRAM：SDRAM为168针，是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。
SDRAM保护处理单元CPU和RAM通过同一个时钟连接在一起，使得CPU和RAM可以共享时钟周期并以相同的速度同步工作，并且每个时钟脉冲的上升沿开始传输数据。
速度比EDO内存高50%。
DDR（DOUBLEDATARATE）RAM：SDRAM的更新产品，允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，从而在不增加时钟频率的情况下使SDRAM的速度加倍。
参考来源：百度百科-RAM
参考来源：百度百科-RAM
内存分为哪几种?
内存分为三种类型：DDR、DDR2和DDR3。
他们之间最大的区别就是工作频率。
工作频率直接影响内存发送的数据量3。
例如：DDR2-800MHZ内存带宽为：800*64bit/8=6.4GB/S。
这意味着它可以在一秒钟内向CPU传输6.4GB的数据。
DDR3-1333每秒的数据传输量为：1333*64bits/8=10.66GB/S。
先进信息
笔记本所使用的内存采用优质元件和先进技术制成，体积小、容量大、速度快、功率大功耗低具有耗电少、散热好等特点。
对于一般的文字处理和互联网办公需求，安装Windows98操作系统并使用128MB内存即可满足要求。
如果安装Windows2000操作系统，则需要128MB+64MB，总内存超过192MB。
如果运行WindowsXP，则需要256MB内存。
由于笔记本内存扩展槽位非常有限，单位容量更大的内存就会显得更加重要。
而且这样做还有一个好处，那就是单位容量大的内存在保证相同容量的情况下产生的热量会更少，这对于移动PC的稳定性也非常有利。
内存的分配方式有几种
分配内存的三种方式：1、从静态内存分配：此时的内存在程序编译时就已经分配好了，并且存在于程序的整个执行过程中。这里存放的是全局变量、静态变量等。
2、栈区的分配：相关代码执行时创建，执行完成后自动释放。
局部变量存储在这里。
堆栈内存分配操作内置于处理器的指令集中，效率很高，但容量有限。
3.堆区分配：动态分配内存。
使用new/malloc时打开，使用delete/free时释放。
持续时间由用户指定并且是灵活的。
但存在内存泄漏等问题。
常见内存错误及对策1.内存分配失败但已使用。
对策：使用内存前检查是否分配成功。
使用p!=NULL来判断。
2.内存分配正确，无需初始化即可使用。
内存默认没有统一的标准。
大多数编译器都以0开头，但并非总是如此。
对策：在内存初始化时分配初始值。
3.内存操作越界。
对策：只要小心一点就可以了。
4．内存已释放但仍在使用。
(1)使用显示delete和free的野指针。
对策：释放内存后，将指针设置为NULL。
(2)使用隐式删除和释放野指针。
主要指返回堆栈内存的指针或引用的函数。
对策：当然，就是不回来。
5、内存没有释放，造成内存泄漏。
使用new/malloc打开内存，但不要使用delete/free释放内存。
对策：new和delete的数量必须相同；malloc和free的数量必须相同并且必须匹配。
微型计算机中的内存有几种？各有什么特点和作用？
首先，常用的计算机存储器包括磁芯存储器和半导体存储器。
目前，计算机存储器使用半导体存储器。
半导体存储器按功能来分，包括随机存取存储器（RAM），也称为只读存储器（ReadOnlyMemory，缩写为ROM）；
1.随机存取存储器（RandomAccessMemory）
RAM具有以下特点：可读写。
初始存储的在读取时不会被破坏，并且初始存储的仅在写入时被修改。
断电后，存储的立即消失，即不稳定。
RAM可分为两种类型：动态（DynamicRAM）和静态（StaticRAM）。
DRAM具有高度集成的特点，主要用于大容量内存；SRAM的特点是访问速度快，主要用于高速缓存。
2．ReadOnlyMemory
ROM是只读存储器。
顾名思义，其特点是只能读取原有，用户无法写入新。
原始存储由制造商使用屏蔽技术一次性写入并永久保存。
它通常用于存储专用程序和永久数据。
不会因停电而丢失。
3.CMOS存储器（互补金属氧化物半导体存储器）
COMS存储器是一种只需要很少电力就能存储数据的芯片。
由于CMOS内存消耗的电量很少，因此可以通过主板内置的小电池供电，该电池在计算机开机时会自动充电。
由于CMOS芯片可以持续供电，因此即使在关闭后也可以保存有关计算机系统配置的重要数据。
