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超微X9DAI主板内存指令比率CR调整攻略:系统不稳定如何优化?

超微X9DAI主板能否调整内存指令比率CR目前CR是1T因插满了16个插槽系统不稳定我想调整为2T

Supermacro X9 DAI主板内存率(CR)可以吗? 该系统不稳定,符合以下条件:最高1 TBDDR3 ECLDIMM(低压)最高8 1 2 8 GBDDR3 ECC/non-eccudimm(常规服务器栏)支持高达1 TBLRDIMM的系统

内存条的指令比率 在那个项目栏调 那个高手解答谢谢

预定义的系统是1 T,不必进行调整,您可以插入高级BIOS设置菜单以检查DRAM项目。
设置内存时钟(dramtimingConfiguration)dramcommmandrate设置项目是:auto1 t2 t只是更改它。

内存条指令比率(CR)的问题

通常,将其设置为1 T后,内存稳定性将产生效果。
如果不稳定,那意味着我买了一个婴儿

内存指令比率1T和2T哪个好用

–1 T的延迟和更好的全身标签性能。
但是兼容性不佳。
不完全插入昏暗的昏暗。
–2 T具有长期的延迟和更差的系统记忆功能。
高兼容性和稳定性。
适用于完全插入DIMM时。
经常使用测试限制率。
我建议将内存设置为1 T,以便内存可以实现最佳性能。
如果1 T不稳定,则切换到2 T并不是夸张的! 让我解释一下:Dramacommandrate(纪念指挥率)通常也被描述为Dramacommandrate,Cmdrate等。
由于它在GDR中解决了,因此必须先执行P-Bank选择(在DIM处使用CS芯片选择信号),然后是指l- bank/low激活和列地址选择参数,即该参数的重要性是p-h-h-h-y-herv-y-y-y-y-y-pers bank Selection可以发出特定地址的L型/线/线激活命令,该单元是时钟周期。
显然,越短。
但是,随着主板上的纪念模块的增加,控制芯片组上的负载也会增加,而短时间命令间隔可能会影响稳定性。
因此,当您的内存大量插入并且有一个不稳定的时间时,您需要调整此参数以使其更长。
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