内存条DDR1在单位时间内一次处理2次，DDR2单位时间内一次处理4次，那DDR3呢，他们之间区别？
DDR2 /3 /4 /5 与DDR1 相同。简要摘要一些粒子之间的差异。
单芯片的宽度为4 位； 读取的钱的数量为4 位，一个芯片的宽度为1 6 位； ：2 倍循环数据的传输，8 位读取金钱，3 2 位GDDR4 芯片； 公交技术（类似于双通道）。
可以看出，开发某些粒子的想法是基于提供较低的基本频率来增加时钟的等效频率。
内核频率 *估计获得的位数= I/O频率； 低基本频率可以有效地控制能源消耗和芯片张力，也有助于提高芯片产量。
例如，GDDR5 -3 6 00MHz，基本频率为3 6 00/2 /8 = 1 1 2 .5 MHz，该频率低于DDR2 -1 000MHz的基本频率。
（DDR2 -1 000MHz的基本频率为1 2 5 MHz），就单个芯片的面包宽度增加而言，可以减少芯片的数量； 位宽度 / 8 ; 例如，相同的6 4 位咬合宽度，DDR需要8 个芯片，而DDR2 可以使用4 个芯片（当然，有内存叠加技术，并且6 4 位存储器也可以使用8 或1 6 个芯片。
内存指令比率1T和2T哪个好用
- 低1 T延迟并改善系统内存性能。但是，它不兼容。
适用于未完全插入DIMM的情况。
-2 T具有长期延迟，系统内存功能较低。
高兼容性和稳定性。
适用于DIMM完全插入时。
经常使用测试限制频率。
建议您将内存设置为1 T，以确保最佳性能。
如果1 T不稳定，则切换到2 T并不是夸张的！ 让我解释一下：dramcommandrate（内存命令率）通常被描述为dramcommandrate，cmdrate等。
由于DDR具有解决方案，因此您必须首先执行P-Bank选择（DIMM中的CS芯片选择信号）。
其次，L bank/low的激活和列地址选择参数表示此参数的含义为p。
- 一段时间后，银行选择可以发出特定的L-Bank/Line激活命令，该设备被计时了。
显然，越短。
但是，随着主板上的内存模块的数量增加，控制芯片组上的负载也会增加，如果命令间隔太短，则可能会影响稳定性。
因此，如果您插入了很多内存并且时间不稳定，则应调整此参数以延长它。
内存条~海盗船2X8套装1600MHZ~开启XMP模式后指令平率2T 关闭后变成1T
让我向您解释更微妙的差异。1 6 00。
怎样在BIOS中设置内存条的CL（时序）
FSB/MEM实际频率也许1 /1 2 00MHz1 /2 1 00MHz2 /3 1 3 3 MHz3 /4 1 5 0MHz3 /05 1 2 0MHz3 /6 1 6 MHz7 /1 01 4 0MHz7 /1 01 4 0MHz9 /1 01 8 0MHz大多数播放器适用于同步和其他设置，其他设置不是同步的。同步后，内存的实际操作频率为FSBX2 ，因此DDR4 00和2 00 MHz FSB存储器已同步。
如果您的FSB为2 4 0 MHz，则在同步后，内存的实际工作频率为2 4 0MHzx2 = 4 8 0MHz。
强烈建议以不同速度的FSB和DDR存储器之间的正确准备关系使用1 ：1 FSB设置和内存同步设置，这可以完全受益于内存域显示的优势。
是否正确任命了内存正时的时间，会严重影响系统的总绩效。
下面，我们将一一解释内存定时设置参数，以便每个人都可以在准备内存参数并改善计算机系统的性能方面获得清晰的想法。
相关参数为：CPC：CommandPlockTCl：CasalatyControltrcd：rastocasdilaytras：minraskEtivetimingtrp：rowpre chargetimingrc：rowcycletimingrc：rowrefrestscletItitrd：Rowrefrestscletititrd： CommandPerclock（CPC：指令百分比，也被翻译如下：延迟第一订单），通常被描述为Dramcommandrate，Cmdrate等。
由于当前的DDR存储器地址，必须先进行P-BANK选择（通过DIMM上的CS芯片选择信号），然后必须激活L型库/行，并选择列地址。
该参数的含义表示选择P型银行后确定的周期，并释放L型线/线的激活，而单位是时钟周期。
显然，较短的CPC越好。
但是，随着主板上的内存单元的增加，控制切片的负载也增加，并且非常短的订单可能会影响稳定性。
因此，当您的内存大量输入并且有一段时间不稳定时，您需要调整此参数以使其更长。
目前，大多数主板自动设置此参数。
该参数（2 T）的默认值被禁用，如果播放器的内存质量良好，可以将其调整为Empower（1 T）。
TCL：CaslatnyControl（TCL）可选设置：自动，1 、1 .5 、2 、2 .5 、3 、3 .5 、4 、4 .5 通常，当我们寻找内存正时参数（例如“ 3 -4 -4 -8 ”）时，与上述数字序列相对应的参数为“ CL-TRCD-TRP-TRAS”。
这3 是第一个参数，即CL老师。
CaslayControl（也描述为TCL，CL，CaslencyTime，CastimingDilay），Caslency是“在内存和写作过程的前部地址中转移单元的时间”。
CAS控制接受之间的时间说明和实施说明。
由于CAS主要控制六十个地址的或内存矩阵中的列，因此它是最重要的参数，必须在稳定性假设下尽可能低。
记忆是根据行和列处理的。
一旦激活TRA，RAS（RowadDresstrobe）开始处理所需的数据。
第一个是行的，然后准备了TRCD，周期结束，然后通过CAS到达所需数据的六边形地址。
CAS延迟是从CAS到CAS结束的开始。
因此，CAS是查找数据的最后一步，它也是最重要的内存参数。
该老师控制内存需要等待的时钟课程数量，然后再接收数据阅读说明后实际实施说明。
同时，此参数还确定在内存爆炸传输过程中完成传输第一部分所需的时钟课程数。
此参数的最小，是最快的内存速度。
重要的是要注意，某些内存不能在较低的过渡时间操作，并且您可能会丢失数据。
此外，增加的小茴香可以以更高的频率使内存动作，因此，在提高内存的工作频率时，您应该尝试增加CAS传输时间。
该参数对内存性能的影响最大。
CL 2 的最佳性能将获得CL 3 值可以改善系统稳定性。
3 、4 、5 、6 延迟时间。
在执行阅读，写作或更新内存时，应在这两个脉冲之间包括延迟时钟课程。
在JEDEC规范中，这是第二个参数，它可以减少此延迟可以改善系统的性能。
建议将此值设置为3 或2 ，但是如果设置值非常低，也会导致系统不稳定。
当该值为4 时，系统将在最稳定的情况下，而该值为5 ，并且非常保守。
